Φορτώνει......
Thermal Characterization and Modelling of AlGaN-GaN Multilayer Structures for HEMT Applications
To optimize the thermal design of AlGaN-GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs), which incorporate high power densities, an accurate prediction of the underlying thermal transport mechanisms is crucial. Here, a HEMT-structure (Al<sub>0.17</sub>Ga<sub>0.83</sub>N, GaN,...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , |
|---|---|
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
MDPI AG
2020-05-01
|
| Σειρά: | Energies |
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://www.mdpi.com/1996-1073/13/9/2363 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|