Demonstration of Synaptic Characteristics in VRRAM with TiN Nanocrystals for Neuromorphic System
Abstract To efficiently develop an extremely intensive storage memory, the resistive random‐access memory (RRAM), which operates by producing and rupturing conductive filaments, is essential. However, due to the stochastic nature of filament production, this filamentary type resistive switching has...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Wiley-VCH
2023-07-01
|
| Loạt: | Advanced Materials Interfaces |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://doi.org/10.1002/admi.202300290 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|