Simulation Study on the Structure Design of p-GaN/AlGaN/GaN HEMT-Based Ultraviolet Phototransistors

This work investigates the impacts of structural parameters on the performances of p-GaN/AlGaN/GaN HEMT-based ultraviolet (UV) phototransistors (PTs) using Silvaco Atlas. The simulation results show that a larger Al content or greater thickness for the AlGaN barrier layer can induce a higher two-dim...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Haiping Wang, Haifan You, Jiangui Yang, Minqiang Yang, Lu Wang, Hong Zhao, Zili Xie, Dunjun Chen
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2022-12-01
سلاسل:	Micromachines
الموضوعات:	ultraviolet (UV) phototransistors (PTs) p-GaN/AGaN/GaN HEMTs Silvaco simulation
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2072-666X/13/12/2210
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!