Physics-Based TCAD Simulation and Calibration of 600 V GaN/AlGaN/GaN Device Characteristics and Analysis of Interface Traps

This study proposes an analysis of the physics-based TCAD (Technology Computer-Aided Design) simulation procedure for GaN/AlGaN/GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) device structures grown on Si (111) substrate which is calibrated against measurement data. The presence of traps and activatio...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Yu-Lin Song, Manoj Kumar Reddy, Luh-Maan Chang, Gene Sheu
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2021-06-01
தொடர்:	Micromachines
பொருள்கள்:	GaN/AlGaN/GaN HEMT TCAD traps
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2072-666X/12/7/751
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!