Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
The radiation damage caused by low energy r.f. plasmas has not been, to our knowledge, studied so far in the case of symmetric planar plasma reactors that are usually used for PECVD processes. The reason is that, unlike non-symmetrical RIE reactors, such geometry prevents, basically, high-energy io...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
National Institute of Telecommunications
2005-03-01
|
| Loạt: | Journal of Telecommunications and Information Technology |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://jtit.pl/jtit/article/view/290 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|