Termination layer compensated tunnelling magnetoresistance in ferrimagnetic Heusler compounds with high perpendicular magnetic anisotropy

Heusler alloy thin films with a distorted tetragonal structure have potential spintronics applications given their bulk perpendicular magnetic anisotropy. Here, the authors demonstrate large perpendicular magnetic anisotropy in Mn3Ge thin films accompanied by negative tunnelling magnetoresistance.

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Jaewoo Jeong, Yari Ferrante, Sergey V. Faleev, Mahesh G. Samant, Claudia Felser, Stuart S. P. Parkin
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	Nature Portfolio 2016-01-01
سلاسل:	Nature Communications
الوصول للمادة أونلاين:	https://doi.org/10.1038/ncomms10276
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!