Polycristalline growth of zinc blende gallium arsenide layers by R.F. magnetron sputtering

Zinc-blende GaAs layers were prepared on (100) Si and glass substrates by r.f. magnetron sputtering. The morphology of GaAs layers is analyzed by means of atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (FE-SEM), to determine the sample topography and growth type. The compositional an...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Superficies y vacío
Hlavní autoři:	R. Bernal Correa, J. Montes Monsalve, A. Pulzara Mora, M. López López, A. Cruz Orea, J.A. Cardona
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2014
Témata:	Física, Astronomía y Matemáticas
On-line přístup:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94233003005
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!