Carbon site switching in carbon doped GaAs, its dependence on carbon concentration

Carbon thermal site switching dependence on carbon and carbon dimers concentration in GaAs layers is studied. The atomiccarbon and dimer concentrations ranged from 0.4 - 2x1020 cm-3 and 0.1-1.5 x1019 cm-3, respectively. The hole concentrationas a function of the annealing time, increases from the “a...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής

Εκδόθηκε σε:	Superficies y vacío
Κύριοι συγγραφείς:	S. W. Bland, J. Mimila Arroyo, A. Lusson
Μορφή:	Artigo
Γλώσσα:	Inglês
Έκδοση:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2003
Θέματα:	Física, Astronomía y Matemáticas
Διαθέσιμο Online:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216108
Ετικέτες:	Προσθήκη ετικέτας Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!