Modelado de la región de deserción en la estructura Aluminio/SRO/ Silicio
Dispositivos de Aluminio/Óxido de silicio rico en Silicio/Silicio (Al/SRO/Si) se caracterizaron experimentalmentemidiendo sus características I-V y C-V. Se utilizaron varios valores de R0 (R0 = [N2O]/[SiH4]), que es la razón de flujosde óxido nitroso y silano. Dependiendo del exceso de silicio, el d...
Kaydedildi:
| Yayımlandı: | Superficies y vacío |
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| Asıl Yazarlar: | , , |
| Materyal Türü: | Artigo |
| Dil: | Espanhol |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2002
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| Konular: | |
| Online Erişim: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201511 |
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