Modelado de la región de deserción en la estructura Aluminio/SRO/ Silicio

Dispositivos de Aluminio/Óxido de silicio rico en Silicio/Silicio (Al/SRO/Si) se caracterizaron experimentalmentemidiendo sus características I-V y C-V. Se utilizaron varios valores de R0 (R0 = [N2O]/[SiH4]), que es la razón de flujosde óxido nitroso y silano. Dependiendo del exceso de silicio, el d...

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מידע ביבליוגרפי

הוצא לאור ב:	Superficies y vacío
Principais autores:	J. A. Luna, M. Aceves, J. Carrillo
פורמט:	Artigo
שפה:	Espanhol
יצא לאור:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2002
נושאים:	Física, Astronomía y Matemáticas
גישה מקוונת:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201511
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