DECAIMIENTO DE LA FOTOLUMINISCENCIA EN SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO OBTENIDO A PARTIR DE MATERIAL TIPO N DE ALTA RESISTIVIDAD
En este trabajo realizamos un estudio por Espectroscopía Infrarroja y Fotoluminiscencia de los efectos fotoinducidos en muestras de Silicio Poroso. Las muestras fueron obtenidas por ataque electroquímico de obleas de silicio cristalino de distintos tipos. Para el material tipo p se obtuvieron resul...
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| Autori principali: | , , , , |
|---|---|
| Natura: | Artigo |
| Lingua: | Espanhol |
| Pubblicazione: |
CEILAP-UNIDEF-CONICET-CITEDEF
2004-06-01
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| Serie: | Anales (Asociación Física Argentina) |
| Accesso online: | https://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/315 |
| Tags: |
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