DECAIMIENTO DE LA FOTOLUMINISCENCIA EN SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO OBTENIDO A PARTIR DE MATERIAL TIPO N DE ALTA RESISTIVIDAD

En este trabajo realizamos un estudio por Espectroscopía Infrarroja y Fotoluminiscencia de los efectos fotoinducidos en muestras de Silicio Poroso. Las muestras fueron obtenidas por ataque electroquímico de obleas de silicio cristalino de distintos tipos. Para el material tipo p se obtuvieron resul...

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Bibliografische gegevens

Hoofdauteurs:	G. Olmos, C. Spies, R. R. Koropecki, R. D. Arce, J. A. Sschmidt
Formaat:	Artigo
Taal:	Espanhol
Gepubliceerd in:	CEILAP-UNIDEF-CONICET-CITEDEF 2004-06-01
Reeks:	Anales (Asociación Física Argentina)
Online toegang:	https://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/315
Tags:	Voeg label toe Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!