GaN growth on (111) Si with very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE

We have investigated the structure and quality of GaN films grown on a 2-3 nm thick amorphous SiN layer formed on (111) Si by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular beam epitaxy under various growth conditions by using both conventional and high-resolution transmission electron micro...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Superficies y vacío
Hlavní autoři:	Masao Tamura, Tokuo Yodo, Máximo López
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2001
Témata:	Física, Astronomía y Matemáticas
On-line přístup:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201321
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!