GaN growth on (111) Si with very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE
We have investigated the structure and quality of GaN films grown on a 2-3 nm thick amorphous SiN layer formed on (111) Si by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular beam epitaxy under various growth conditions by using both conventional and high-resolution transmission electron micro...
Збережено в:
| Опубліковано в:: | Superficies y vacío |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201321 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|