Citações do registro

Citação APA (7ª ed.)

Tamura, M., Yodo, T., & López, M. (2001). GaN growth on (111) Si with very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE. Superficies y vacío.

Citação do estilo Chicago (17ª ed.)

Tamura, Masao, Tokuo Yodo, e Máximo López. "GaN Growth on (111) Si with Very Thin Amorphous SiN Layer by ECR Plasma-assisted MBE." Superficies Y Vacío 2001.

Citação MLA (9ª ed.)

Tamura, Masao, et al. "GaN Growth on (111) Si with Very Thin Amorphous SiN Layer by ECR Plasma-assisted MBE." Superficies Y Vacío, 2001.

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