Optical and electrical characterization of AlxGa1−xAs layers grown on GaAs obtained by a metallic-arsenic-based-MOCVD system
In this work we report results on the optical characterization of AlxGa1−xAs epitaxial layers. The layers were characterized using photoluminescence (PL) to 10 K and photoreflectance (PR) to 300 K. The AlxGa1−xAs layers resulted n-type with an electron concentration of 1×1017 cm−3 and a correspondin...
Збережено в:
| Опубліковано в:: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2007
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163058 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|