Caracterización de Películas de AlXGa1-XAs sin Impurificar Crecidas por MOCVD

Uno de los mayores problemas en el crecimiento de películas epitaxiales de AlxGa1-xAs por MOCVD es la incorporación de carbono y oxígeno como impurezas residuales. Pequeñas concentraciones de oxígeno degradan notablemente sus propiedades eléctricas y ópticas de las epicapas de AlxGa1-xAs; de ahí la...

Descripció completa

Dades bibliogràfiques

Publicat a:	Superficies y vacío
Autors principals:	M. Galván Galván, A. Escobosa Chavarria, R. Castillo Ojeda, J. Díaz Reyes, R. Peña Sierra
Format:	Artigo
Idioma:	Espanhol
Publicat:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2003
Matèries:	Física, Astronomía y Matemáticas
Accés en línia:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216301
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!