Crecimiento epitaxial de un pozo cuántico de AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs utilizando vapores metalorgánicos y arsénico sólido como precursores
En este trabajo se discute la utilización de un sistema de deposición de capas epitaxiales semiconductoras del tipo MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), distinto a los convencionales que utilizan arsina como precursor del arsénico. En el sistema de crecimiento utilizado se ha sustituido...
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| Publicado no: | Superficies y vacío |
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| Principais autores: | , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicado em: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2013
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94229972001 |
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