Crecimiento epitaxial de un pozo cuántico de AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs utilizando vapores metalorgánicos y arsénico sólido como precursores

En este trabajo se discute la utilización de un sistema de deposición de capas epitaxiales semiconductoras del tipo MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), distinto a los convencionales que utilizan arsina como precursor del arsénico. En el sistema de crecimiento utilizado se ha sustituido...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos

Publicado en:	Superficies y vacío
Autores principales:	R. Castillo-Ojeda, M. Galván-Arellano, J. Díaz-Reyes
Formato:	Artigo
Lenguaje:	Espanhol
Publicado:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2013
Materias:	Física, Astronomía y Matemáticas
Acceso en línea:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94229972001
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