Caracterización de Películas de AlXGa1-XAs sin Impurificar Crecidas por MOCVD
Uno de los mayores problemas en el crecimiento de películas epitaxiales de AlxGa1-xAs por MOCVD es la incorporación de carbono y oxígeno como impurezas residuales. Pequeñas concentraciones de oxígeno degradan notablemente sus propiedades eléctricas y ópticas de las epicapas de AlxGa1-xAs; de ahí la...
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| Udgivet i: | Superficies y vacío |
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| Principais autores: | , , , , |
| Format: | Artigo |
| Sprog: | Espanhol |
| Udgivet: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2003
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| Fag: | |
| Online adgang: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216301 |
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