Optical and electrical characterization of AlxGa1−xAs layers grown on GaAs obtained by a metallic-arsenic-based-MOCVD system
In this work we report results on the optical characterization of AlxGa1−xAs epitaxial layers. The layers were characterized using photoluminescence (PL) to 10 K and photoreflectance (PR) to 300 K. The AlxGa1−xAs layers resulted n-type with an electron concentration of 1×1017 cm−3 and a correspondin...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2007
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163058 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|