Electronic structure of pn delta-doped quantum wells in GaAs

We present the electron and hole subband structure in a coupled p- and n-type delta-doped quantum well in GaAs. The study is performedin the framework of the envelope function approximation via analytical expressions for the Hartree potential previously obtained through thelines of the Thomas-Fermi...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Revista Mexicana de Física
Hauptverfasser: I. Rodriguez-Vargas, L.M. Gaggero-Sager
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2007
Schlagworte:
Física, Astronomía y Matemáticas
pn d
Thomas
doped quantum wells
Fermi approximation
Electronic structure
Online Zugang:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163024
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