Electronic structure of pn delta-doped quantum wells in GaAs
We present the electron and hole subband structure in a coupled p- and n-type delta-doped quantum well in GaAs. The study is performedin the framework of the envelope function approximation via analytical expressions for the Hartree potential previously obtained through thelines of the Thomas-Fermi...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2007
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163024 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|