Hydrogen Influence on Gallium Arsenide Thin Films Prepared by RF-Magnetron Sputtering Technique

We investigate the effect of the hydrogen intentional incorporation on the structural properties of the amorphousgallium arsenide prepared by rf-magnetron sputtering technique. The properties of the non-hydrogenatedfilms are: band gap of 1.4 eV (E04), Urbach energy of 110 meV, stoichiometric composi...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Brazilian Journal of Physics
Hlavní autoři: R. Bustamante, J.H.D. da Silva, J. Vilcarromero
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Sociedade Brasileira de Física 2006
Témata:
Física, Astronomía y Matemáticas
RF
Hydrogen
Gallium arsenide
magnetron sputtering
On-line přístup:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436563
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky