Hydrogen Influence on Gallium Arsenide Thin Films Prepared by RF-Magnetron Sputtering Technique
We investigate the effect of the hydrogen intentional incorporation on the structural properties of the amorphousgallium arsenide prepared by rf-magnetron sputtering technique. The properties of the non-hydrogenatedfilms are: band gap of 1.4 eV (E04), Urbach energy of 110 meV, stoichiometric composi...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Sociedade Brasileira de Física
2006
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436563 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|