Hydrogen Influence on Gallium Arsenide Thin Films Prepared by RF-Magnetron Sputtering Technique

We investigate the effect of the hydrogen intentional incorporation on the structural properties of the amorphousgallium arsenide prepared by rf-magnetron sputtering technique. The properties of the non-hydrogenatedfilms are: band gap of 1.4 eV (E04), Urbach energy of 110 meV, stoichiometric composi...

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Pubblicato in:Brazilian Journal of Physics
Autori principali: R. Bustamante, J.H.D. da Silva, J. Vilcarromero
Natura: Artigo
Lingua:Inglês
Pubblicazione: Sociedade Brasileira de Física 2006
Soggetti:
Física, Astronomía y Matemáticas
RF
Hydrogen
Gallium arsenide
magnetron sputtering
Accesso online:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436563
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