Analysis of SiO2 Thin Films Deposited by PECVD Using an Oxygen-TEOS-Argon Mixture

This study analyses the influence of the argon flow on the Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) of silicon oxide thin films by using TEOS as silicon source. The argon flow increases the deposition rate, however it also can creates some defects in the deposited film. Several characteriza...

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Detalhes bibliográficos

Publicado no:	Brazilian Journal of Physics
Principais autores:	Carlos E. Viana, Ana N. R. da Silva, Nilton I. Morimoto, Olivier Bonnaud
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado em:	Sociedade Brasileira de Física 2001
Assuntos:	Física, Astronomía y Matemáticas
Acesso em linha:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46413501023
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