লোডিং...
Mechanism of Electron-Beam Manipulation of Single-Dopant Atoms in Silicon
[Image: see text] The precise positioning of dopant atoms within bulk crystal lattices could enable novel applications in areas including solid-state sensing and quantum computation. Established scanning probe techniques are capable tools for the manipulation of surface atoms, but at a disadvantage...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | J Phys Chem C Nanomater Interfaces |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
American Chemical
Society
2021
|
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC8327312/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/34354792 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.1c03549 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|