Ładuje się......
High Performance p-i-n Photodetectors on Ge-on-Insulator Platform
In this article, we demonstrated novel methods to improve the performance of p-i-n photodetectors (PDs) on a germanium-on-insulator (GOI). For GOI photodetectors with a mesa diameter of 10 μm, the dark current at −1 V is 2.5 nA, which is 2.6-fold lower than that of the Ge PD processed on Si substrat...
Zapisane w:
| Wydane w: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI
2021
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC8145456/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33925305 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano11051125 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|