Φορτώνει......
Investigation of the Heteroepitaxial Process Optimization of Ge Layers on Si (001) by RPCVD
This work presents the growth of high-quality Ge epilayers on Si (001) substrates using a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) chamber. Based on the initial nucleation, a low temperature high temperature (LT-HT) two-step approach, we systematically investigate the nucleation time and s...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Τόπος έκδοσης: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , , , , , , , , , |
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
MDPI
2021
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC8067383/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33917367 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano11040928 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|