تحميل...
Understanding and Mapping Sensitivity in MoS(2) Field-Effect-Transistor-Based Sensors
Sensors based on two-dimensional (2D) field-effect transistors (FETs) are extremely sensitive and can detect charged analytes with attomolar limits of detection (LOD). Despite some impressive LODs, the operating mechanisms and factors that determine the signal-to-noise ratio in 2D FET-based sensors...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | ACS Nano |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
2020
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7895328/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32790325 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c04192 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|