Načítá se...
60–700 K CTAT and PTAT Temperature Sensors with 4H-SiC Schottky Diodes
A SiC Schottky dual-diode temperature-sensing element, suitable for both complementary variation of V(F) with absolute temperature (CTAT) and differential proportional to absolute temperature (PTAT) sensors, is demonstrated over 60–700 K, currently the widest range reported. The structure’s layout p...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Sensors (Basel) |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , , , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
MDPI
2021
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7866971/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33572603 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/s21030942 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|