Ładuje się......
Li-Doping Effect on Characteristics of ZnO Thin Films Resistive Random Access Memory
In this study, a Pt/Ag/LZO/Pt resistive random access memory (RRAM), doped by different Li-doping concentrations was designed and fabricated by using a magnetron sputtering method. To determine how the Li-doping concentration affects the crystal lattice structure in the composite ZnO thin films, X-r...
Zapisane w:
| Wydane w: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI
2020
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7599982/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32987957 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi11100889 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|