Đang tải...
Floating Ni Capping for High-Mobility p-Channel SnO Thin-Film Transistors
We utilized Ni as a floating capping layer in p-channel SnO thin-film transistors (TFTs) to improve their electrical performances. By utilizing the Ni as a floating capping layer, the p-channel SnO TFT showed enhanced mobility as high as 10.5 cm(2)·V(−1)·s(−1). The increase in mobility was more sign...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7411776/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32650540 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma13143055 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|