Φορτώνει......
Influence of the reactor environment on the selective area thermal etching of GaN nanohole arrays
Selective area thermal etching (SATE) of gallium nitride is a simple subtractive process for creating novel device architectures and improving the structural and optical quality of III-nitride-based devices. In contrast to plasma etching, it allows, for example, the creation of enclosed features wit...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Τόπος έκδοσης: | Sci Rep |
|---|---|
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , , |
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
Nature Publishing Group UK
2020
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7101372/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32221397 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-62539-1 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|