Đang tải...
Sub-nanosecond memristor based on ferroelectric tunnel junction
Next-generation non-volatile memories with ultrafast speed, low power consumption, and high density are highly desired in the era of big data. Here, we report a high performance memristor based on a Ag/BaTiO(3)/Nb:SrTiO(3) ferroelectric tunnel junction (FTJ) with the fastest operation speed (600 ps)...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nat Commun |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group UK
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7080735/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32188861 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-020-15249-1 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|