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Ultrashort Vertical‐Channel van der Waals Semiconductor Transistors

Atomically thin 2D van der Waals semiconductors are promising candidates for next‐generation nanoscale field‐effect transistors (FETs). Although large‐area 2D van der Waals materials have been successfully synthesized, such nanometer‐length‐scale devices have not been well demonstrated in 2D van der...

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Pubblicato in:Adv Sci (Weinh)
Autori principali: Jiang, Jinbao, Doan, Manh‐Ha, Sun, Linfeng, Kim, Hyun, Yu, Hua, Joo, Min‐Kyu, Park, Sang Hyun, Yang, Heejun, Duong, Dinh Loc, Lee, Young Hee
Natura: Artigo
Lingua:Inglês
Pubblicazione: John Wiley and Sons Inc. 2019
Soggetti:
Accesso online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7029639/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32099767
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1002/advs.201902964
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