Ultrashort Vertical‐Channel van der Waals Semiconductor Transistors

Atomically thin 2D van der Waals semiconductors are promising candidates for next‐generation nanoscale field‐effect transistors (FETs). Although large‐area 2D van der Waals materials have been successfully synthesized, such nanometer‐length‐scale devices have not been well demonstrated in 2D van der...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Adv Sci (Weinh)
المؤلفون الرئيسيون: Jiang, Jinbao, Doan, Manh‐Ha, Sun, Linfeng, Kim, Hyun, Yu, Hua, Joo, Min‐Kyu, Park, Sang Hyun, Yang, Heejun, Duong, Dinh Loc, Lee, Young Hee
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: John Wiley and Sons Inc. 2019
الموضوعات:
Communications
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7029639/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32099767
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1002/advs.201902964
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة