טוען...
Vertical WS(2)/SnS(2) van der Waals Heterostructure for Tunneling Transistors
Van der Waals heterostructures composed of two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMD) materials have stimulated tremendous research interest in various device applications, especially in energy-efficient future-generation electronics. Such ultra-thin stacks as tunnel junction theore...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Sci Rep |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , , , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Nature Publishing Group UK
2018
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6288168/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30531791 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-35661-4 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|