Vertical WS(2)/SnS(2) van der Waals Heterostructure for Tunneling Transistors

Van der Waals heterostructures composed of two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMD) materials have stimulated tremendous research interest in various device applications, especially in energy-efficient future-generation electronics. Such ultra-thin stacks as tunnel junction theore...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Sci Rep
Main Authors: Wang, Jiaxin, Jia, Rundong, Huang, Qianqian, Pan, Chen, Zhu, Jiadi, Wang, Huimin, Chen, Cheng, Zhang, Yawen, Yang, Yuchao, Song, Haisheng, Miao, Feng, Huang, Ru
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Nature Publishing Group UK 2018
נושאים:
Article
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6288168/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30531791
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-35661-4
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים