Ładuje się......

Influence of Annealing Atmosphere on the Characteristics of Ga(2)O(3)/4H-SiC n-n Heterojunction Diodes

Ga(2)O(3)/4H-SiC n-n isotype heterojunction diodes were fabricated by depositing Ga(2)O(3) thin films by RF magnetron sputtering. The influence of annealing atmosphere on the film quality and electrical properties of Ga(2)O(3) layers was investigated. X-ray diffraction (XRD) analysis showed a signif...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Materials (Basel)
Główni autorzy: Lee, Young-Jae, Schweitz, Michael A., Oh, Jong-Min, Koo, Sang-Mo
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: MDPI 2020
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7013600/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31963320
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma13020434
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!