Đang tải...
Influence of Gas Annealing on Sensitivity of AlN/4H-SiC-Based Temperature Sensors
In this study, the physical and electrical characteristics of an AlN/4H-SiC Schottky barrier diode-based temperature sensor annealed in various gas atmospheres were investigated. An aluminum nitride (AlN) thin film was deposited on a 4H-SiC substrate via radio-frequency sputtering followed by anneal...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2021
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7867292/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33540719 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma14030683 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|