Đang tải...
Influence of Annealing Atmosphere on the Characteristics of Ga(2)O(3)/4H-SiC n-n Heterojunction Diodes
Ga(2)O(3)/4H-SiC n-n isotype heterojunction diodes were fabricated by depositing Ga(2)O(3) thin films by RF magnetron sputtering. The influence of annealing atmosphere on the film quality and electrical properties of Ga(2)O(3) layers was investigated. X-ray diffraction (XRD) analysis showed a signif...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7013600/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31963320 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma13020434 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|