Yüklüyor......
Diamond lateral FinFET with triode-like behavior
In this letter we report a diamond lateral FinFET fabricated using an ohmic regrowth technique. The use of ohmic regrowth separates the source/drain and gate fabrication, providing a viable means to improve ohmic contact resistance while protecting the top surface of the diamond channel from dry etc...
Kaydedildi:
| Yayımlandı: | Sci Rep |
|---|---|
| Asıl Yazarlar: | , , , |
| Materyal Türü: | Artigo |
| Dil: | Inglês |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Nature Publishing Group UK
2020
|
| Konular: | |
| Online Erişim: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7010734/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32042009 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-59049-5 |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|