Načítá se...
Diamond lateral FinFET with triode-like behavior
In this letter we report a diamond lateral FinFET fabricated using an ohmic regrowth technique. The use of ohmic regrowth separates the source/drain and gate fabrication, providing a viable means to improve ohmic contact resistance while protecting the top surface of the diamond channel from dry etc...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Sci Rep |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Nature Publishing Group UK
2020
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7010734/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32042009 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-59049-5 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|