Laser Annealing of P and Al Implanted 4H-SiC Epitaxial Layers

This work describes the development of a new method for ion implantation induced crystal damage recovery using multiple XeCl (308 nm) laser pulses with a duration of 30 ns. Experimental activity was carried on single phosphorus (P) as well as double phosphorus and aluminum (Al) implanted 4H-SiC epit...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Materials (Basel)
المؤلفون الرئيسيون: Calabretta, Cristiano, Agati, Marta, Zimbone, Massimo, Boninelli, Simona, Castiello, Andrea, Pecora, Alessandro, Fortunato, Guglielmo, Calcagno, Lucia, Torrisi, Lorenzo, La Via, Francesco
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: MDPI 2019
الموضوعات:
Article
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6829506/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31618862
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma12203362
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة