تحميل...
High-Power GaN-Based Vertical Light-Emitting Diodes on 4-Inch Silicon Substrate
We demonstrate high-power GaN-based vertical light-emitting diodes (LEDs) (VLEDs) on a 4-inch silicon substrate and flip-chip LEDs on a sapphire substrate. The GaN-based VLEDs were transferred onto the silicon substrate by using the Au–In eutectic bonding technique in combination with the laser lift...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2019
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6724084/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31426467 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano9081178 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|