تحميل...
Growth of Large-Area, Stress-Free, and Bulk-Like 3C-SiC (100) Using 3C-SiC-on-Si in Vapor Phase Growth
We report on the reproducible growth of two inch 3C-SiC crystals using the transfer of chemical vapor deposition (CVD)-grown (100) oriented epitaxial layers. Additional experiments, in which the diameter of the free-standing layers is increased, are presented, indicating the upscale potential of thi...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Materials (Basel) |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2019
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6652129/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31284618 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma12132179 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|