লোডিং...
Limitations during Vapor Phase Growth of Bulk (100) 3C-SiC Using 3C-SiC-on-SiC Seeding Stacks
The growth of 3C-SiC shows technological challenges, such as high supersaturation, a silicon-rich gas phase and a high vertical temperature gradient. We have developed a transfer method creating high-quality 3C-SiC-on-SiC (100) seeding stacks, suitable for use in sublimation “sandwich” epitaxy (SE)....
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Materials (Basel) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI
2019
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6696193/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31344899 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma12152353 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|