טוען...
Effect of strain relaxation on performance of InGaN/GaN green LEDs grown on 4-inch sapphire substrate with sputtered AlN nucleation layer
Here we demonstrate high-brightness InGaN/GaN green light emitting diodes (LEDs) with in-situ low-temperature GaN (LT-GaN) nucleation layer (NL) and ex-situ sputtered AlN NL on 4-inch patterned sapphire substrate. Compared to green LEDs on LT-GaN (19 nm)/sapphire template, green LEDs on sputtered Al...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Sci Rep |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Nature Publishing Group UK
2019
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6401382/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30837579 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-40120-9 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|