Ładuje się......
Analog/RF Performance of T-Shape Gate Dual-Source Tunnel Field-Effect Transistor
In this paper, a silicon-based T-shape gate dual-source tunnel field-effect transistor (TGTFET) is proposed and investigated by TCAD simulation. As a contrastive study, the structure, characteristic, and analog/RF performance of TGTFET, LTFET, and UTFET are discussed. The gate overlap introduced by...
Zapisane w:
| Wydane w: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Springer US
2018
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6185875/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30315380 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-018-2723-y |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|