Advanced GeSn/SiGeSn Group IV Heterostructure Lasers

Growth and characterization of advanced group IV semiconductor materials with CMOS‐compatible applications are demonstrated, both in photonics. The investigated GeSn/SiGeSn heterostructures combine direct bandgap GeSn active layers with indirect gap ternary SiGeSn claddings, a design proven its wort...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Adv Sci (Weinh)
Hlavní autoři: von den Driesch, Nils, Stange, Daniela, Rainko, Denis, Povstugar, Ivan, Zaumseil, Peter, Capellini, Giovanni, Schröder, Thomas, Denneulin, Thibaud, Ikonic, Zoran, Hartmann, Jean‐Michel, Sigg, Hans, Mantl, Siegfried, Grützmacher, Detlev, Buca, Dan
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: John Wiley and Sons Inc. 2018
Témata:
Communications
On-line přístup:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6010800/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29938172
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1002/advs.201700955
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky