Advanced GeSn/SiGeSn Group IV Heterostructure Lasers

Growth and characterization of advanced group IV semiconductor materials with CMOS‐compatible applications are demonstrated, both in photonics. The investigated GeSn/SiGeSn heterostructures combine direct bandgap GeSn active layers with indirect gap ternary SiGeSn claddings, a design proven its wort...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τόπος έκδοσης:Adv Sci (Weinh)
Κύριοι συγγραφείς: von den Driesch, Nils, Stange, Daniela, Rainko, Denis, Povstugar, Ivan, Zaumseil, Peter, Capellini, Giovanni, Schröder, Thomas, Denneulin, Thibaud, Ikonic, Zoran, Hartmann, Jean‐Michel, Sigg, Hans, Mantl, Siegfried, Grützmacher, Detlev, Buca, Dan
Μορφή: Artigo
Γλώσσα:Inglês
Έκδοση: John Wiley and Sons Inc. 2018
Θέματα:
Communications
Διαθέσιμο Online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6010800/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29938172
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1002/advs.201700955
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

Παρόμοια τεκμήρια